Misura wafer epitassiali

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    A causa dell'ampliamento nell'uso dei componenti elettro-ottici ormai diventati un luogo comune sia nelle telecomunicazioni sia nelle tecnologie di visualizzazione, l'epitassia sta emergendo come una tecnica fondamentale per la produzione di componenti. Per epitassia si intende il processo di deposito di strati molto sottili di materiali semiconduttori sulla superficie di un substrato monocristallino. Ogni strato di cristallo è noto come strato epitassiale.

     

    Metrologia

    Rugosità superficiale
    La struttura superficiale è un parametro estremamente importante quando si tratta di specificare la qualità dei semiconduttori epitassiali sia per i clienti sia per i fornitori. Con l'attuale tendenza di ridurre sempre di più i circuiti da stampare sui wafer, le tolleranze per la rugosità stanno diventando sempre più ristrette. Dal momento che la finitura superficiale per gli strati epitassiali è espressa in nm, è necessario un sistema con bassissimo rumore e ad alta risoluzione per la misura.

     

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